描述
GE IS200TPROS1CBB 是通用电气(GE)Mark VIe 系列控制系统中的一款冗余处理器专用底座模块,核心功能是为 Mark VIe 系列冗余处理器模块(如GE IS200SPROC3A-R)提供物理安装固定、双路冗余总线连接接口及双区散热辅助,是构建工业控制系统冗余核心节点的关键组件。在对可靠性要求极高的工业场景中,冗余处理器模块负责实现 “主备切换”,而GE IS200TPROS1CBB 就像 “冗余核心基座”,不仅要确保主备处理器模块安装稳固,还要通过双路独立总线实现主备处理器与其他模块的同步数据交互,同时通过双区散热结构保障两颗处理器长期稳定运行,避免因单点故障导致整个控制系统瘫痪。
作为 Mark VIe 系列冗余处理器模块的标准配套组件,GE IS200TPROS1CBB 完全遵循该系列冗余架构规范,与同系列冗余处理器模块采用双侧双卡扣 + 96 针精密针座的连接方式,无需额外工具即可完成精准对接,针脚接触精度误差≤0.03mm,确保主备处理器数据传输无延迟。与普通处理器底座相比,GE IS200TPROS1CBB 最大的优势在于内置双路独立背板总线,主备总线可实现毫秒级故障切换;同时优化的双区散热结构(主备处理器各自独立散热区),可将每颗处理器工作温度降低 10-15°C,进一步提升冗余系统的稳定性。

IS200TPROS1CBB GE
主要特点和优势
冗余处理器精准适配设计:GE IS200TPROS1CBB 针对 Mark VIe 系列冗余处理器模块的双处理器布局专项优化,底座尺寸与接口位置完全匹配冗余模块的物理结构,双侧双卡扣设计能将冗余处理器模块与底座的对接偏差控制在 ±0.03mm 内,确保模块底部 96 针针脚(主处理器 48 针 + 备处理器 48 针)与底座双区针座完全贴合,避免因针脚接触不良导致的主备通信中断或数据同步偏差。底座表面标注清晰的 “MASTER”(主)与 “STANDBY”(备)分区标识,配合安装方向箭头,能快速完成冗余模块的安装对齐,避免反向安装损坏针座。
双路冗余总线与高速同步:该底座内置两路独立的 Mark VIe 系统背板总线接口,每路总线均支持最高 1Gbps 传输速率,主总线负责正常工况下的数据交互,备总线实时同步主总线数据,当主总线出现故障时,可在≤50ms 内自动切换至备总线,确保主备处理器与 I/O 模块、电源模块的通信不中断,满足工业控制系统 “无间断运行” 的严苛要求。此外,GE IS200TPROS1CBB 内置主备数据同步电路,能实现主备处理器之间的毫秒级数据同步(同步延迟≤1ms),避免主备切换时出现数据丢失或控制偏差,大幅提升系统容错能力。
双区增强散热与强抗振结构:GE IS200TPROS1CBB 外壳采用铝合金 + PA66 玻纤增强复合材质,且划分主备两个独立散热区,每个散热区均设计有密集散热筋(单区散热面积比普通底座增加 70%),可分别传导主备处理器产生的热量,配合控制柜通风系统,能将每颗处理器工作温度稳定控制在 50°C 以下,避免因高温导致的处理器降频或主备切换异常。底座底部设计有六重导轨卡扣与高弹性缓冲垫,安装在 35mm DIN 导轨上后,能承受 10-500Hz 频率、10g 加速度的持续振动,以及 60g 峰值加速度的冲击,远高于普通冗余底座的抗振标准,特别适合核电、石化等强振动且对可靠性要求极高的场景。
安全防护与便捷维护:GE IS200TPROS1CBB 具备完善的冗余安全防护功能,底座内置双路独立过电流保护电路,当主或备处理器供电异常时,可单独切断对应处理器的供电,避免故障扩散影响另一颗处理器;同时双区针座均采用黄铜基材 + 8μm 镀金层,具备优异的防氧化与耐腐蚀性,针脚插拔寿命≥1500 次,远超普通冗余底座的 800 次标准。在维护方面,“冗余模块 – 底座” 分离式设计让冗余处理器更换无需拆除底座与双路总线线缆,只需按压双侧双卡扣即可取下模块,平均维护时间可控制在 4 分钟以内,大幅减少系统停机风险。
The GE IS200TPROS1CBB is a dedicated redundant processor base module for the GE Mark VIe control system, engineered to support Mark VIe redundant main/standby processor modules with secure mounting, dual redundant backplane buses, and dual-zone thermal management. Its precision interface ensures accurate alignment with redundant processor modules (tolerance ≤±0.03mm), guaranteeing reliable contact between 96-pin connectors (48 pins for master, 48 pins for standby) and preventing master-standby communication failures.
Equipped with two independent backplane bus interfaces (each supporting 1Gbps transmission), the GE IS200TPROS1CBB enables automatic bus switching (≤50ms) in case of primary bus failure, ensuring uninterrupted communication between processors and I/O/power modules. Built-in master-standby data synchronization circuitry (latency ≤1ms) prevents data loss during switchover. Dual-zone cooling (aluminum alloy housing with 70% increased heat dissipation area per zone) keeps each processor temperature below 50°C, while six rail clips and high-elasticity dampers withstand harsh vibrations (10-500Hz, 10g continuous acceleration) and shocks (60g peak). Gold-plated connectors (8μm thickness) ensure corrosion resistance (≥1500 insertion cycles), with dual independent overcurrent protection safeguarding processors. Tool-free module replacement minimizes downtime, making it ideal for mission-critical applications like nuclear power and petrochemicals.
IS200TPROS1CBB 技术规格
| 参数名称 | 参数值 |
| 产品型号 | IS200TPROS1CBB |
| 制造商 | GE (通用电气) |
| 产品类型 | 冗余处理器模块专用底座 |
| 适配模块类型 | GE Mark VIe 系列冗余主 / 从处理器模块 |
| 连接针脚数 | 96 针(主处理器 48 针 + 备处理器 48 针) |
| 总线类型 | 双路独立背板总线 |
| 单路总线速率 | 最高 1Gbps |
| 总线切换时间 | ≤50ms |
| 主备同步延迟 | ≤1ms |
| 散热方式 | 双区增强型被动散热(铝合金双区散热筋) |
| 工作温度范围 | -40°C – 75°C |
| 存储温度范围 | -55°C – 100°C |
| 防护等级 | IP20(面板安装后) |
| 阻燃等级 | UL94 V-0 级 |
| 抗冲击等级 | IK10 级 |
| 抗振动性能 | 10-500Hz,加速度 10g(10 分钟 / 轴) |
| 安装方式 | 35mm DIN 导轨安装(兼容 C 型 / G 型导轨) |
| 模块连接方式 | 双侧双卡扣式快速连接(无需工具) |
| 外壳材质 | 铝合金 + PA66+30% 玻纤增强阻燃塑料 |
| 针座材质 | 黄铜基材 + 8μm 镀金层 |
| 插拔寿命 | ≥1500 次 |
| 重量 | 约 0.85kg |
| 尺寸(长 × 宽 × 高) | 180mm × 45mm × 95mm |
应用领域
GE IS200TPROS1CBB 作为 Mark VIe 系列冗余处理器模块的核心配套底座,在对可靠性要求 “零中断” 的工业场景中不可或缺。在核电行业,核电站的反应堆安全控制系统中,GE IS200TPROS1CBB 为GE IS200SPROC3A-R 冗余处理器模块提供安装支撑与双路总线连接,双路冗余总线能确保主备处理器与安全级 I/O 模块(如GE IS200STCIH8AED-R)的通信不中断,即使单路总线故障,也能在 50ms 内切换至备总线,避免反应堆因控制中断导致的安全风险;双区散热结构则能应对核电站控制室的密闭高温环境,保障冗余处理器长期稳定运行。
在石化行业,大型原油储备库的输油管道控制系统中,GE IS200TPROS1CBB 与冗余处理器模块配合使用,底座的主备数据同步功能可实现输油流量、压力控制参数的毫秒级同步,当主处理器故障时,备处理器能无缝接管控制,避免输油管道因控制中断导致的泄漏或停输事故;六重导轨卡扣设计能抵抗输油泵运行时的强振动(加速度 9g),确保冗余模块安装稳固,不影响主备切换精度。
在冶金行业,大型钢铁厂的高炉控制系统中,GE IS200TPROS1CBB 为冗余处理器提供安装底座,双路总线可分别连接高炉的温度、压力、料位等关键 I/O 模块,确保高炉冶炼参数的实时采集与控制指令的连续下达;双区散热结构能将处理器温度控制在 48°C 以下,避免高炉车间高温导致的处理器性能下降。此外,在城市供水系统的核心泵站、大型数据中心的应急供电控制系统中,该底座也可用于冗余处理器的安装支撑,保障关键基础设施的不间断运行。
相关产品
- IS200SPROC3A-R:GE Mark VIe 系列冗余主 / 从处理器模块,与GE IS200TPROS1CBB为标准冗余配套,前者实现主备控制与切换,后者提供双路总线与双区散热支撑,共同构建冗余核心节点。
- IS200STCIH8AED-R:GE Mark VIe 系列安全级 24 通道模拟输入模块,可通过GE IS200TPROS1CBB的双路总线与冗余处理器通信,确保关键模拟信号的冗余采集与传输。
- IS200SPSCG3A-R:GE Mark VIe 系列冗余电源模块,其双路输出电源线缆可通过GE IS200TPROS1CBB的双区电源针脚,为主备处理器分别供电,满足冗余处理器的独立供电需求(单路最大电流 6A)。
- IS200STAOH3AAA-R:GE Mark VIe 系列冗余 24 通道模拟输出模块,冗余处理器通过GE IS200TPROS1CBB的双路总线向其下发控制指令,实现控制信号的冗余输出,驱动执行器精准动作。
- IS200TDBTH6ACD-R:GE Mark VIe 系列冗余 24 通道 I/O 模块端子底座,与GE IS200TPROS1CBB配合使用,前者支撑冗余 I/O 模块接线,后者支撑冗余处理器,共同构建完整的冗余控制单元。
- IS200TPROH1BCB:GE Mark VIe 系列非冗余处理器底座,与GE IS200TPROS1CBB相比,无冗余总线与双区散热,适配非冗余处理器,可根据项目可靠性需求灵活选择。
- IS200SPIDG2ABA-R:GE Mark VIe 系列冗余 24 通道数字输入模块,可通过GE IS200TPROS1CBB的双路总线与冗余处理器交互数据,确保数字信号的冗余采集与状态监测。

IS200TPROS1CBB GE
安装与维护
安装前准备:安装GE IS200TPROS1CBB 前,需确认安装环境温度(-40°C – 75°C)、湿度(0-95% 无凝露)符合要求,同时检查 35mm DIN 导轨的承重能力(≥3kg/m)与平整度(偏差≤0.3mm/m),避免底座倾斜导致冗余处理器对接偏差。准备绝缘螺丝刀(扭矩 0.8-1.5N・m)、激光测距仪、防静电手环、总线测试仪,检查底座外观无破损、双区针座无变形,核对底座型号与冗余处理器模块的兼容性(需为 Mark VIe 系列冗余型号),避免型号错配。
安装过程要点:佩戴防静电手环,将GE IS200TPROS1CBB 沿 35mm DIN 导轨卡槽平稳推入,直至六重卡扣完全咬合(通过激光测距仪确认垂直度≤0.2°),轻拉底座确认无松动;与其他模块底座并排安装时,相邻间距预留 20-25mm,确保双区散热空间。连接双路总线线缆时,按底座 “BUS1-IN/BUS1-OUT”(主总线)、“BUS2-IN/BUS2-OUT”(备总线)标识分别接入系统冗余背板总线,用螺丝刀以 1.0-1.2N・m 扭矩固定接头,并用总线测试仪验证双路总线通信正常;最后将冗余处理器模块对准底座双区接口,沿双侧导轨平行推入,听到 “双咔嗒” 声即完成卡扣固定,安装后通过模块指示灯确认主备处理器均正常运行。
维护建议:日常维护GE IS200TPROS1CBB 时,每月用红外测温仪分别检测双区散热温度(正常≤55°C),用压缩空气吹除双区散热筋灰尘;每季度检查底座与导轨的连接状态,用扭矩螺丝刀复紧双路总线线缆接头(1.0N・m),并用总线测试仪验证主备总线切换功能正常。更换冗余处理器模块时,先断开模块供电,按压底座双侧双卡扣释放按钮,平行拔出旧模块,新模块对准接口推入即可;若发现某区针座损坏,需先断开双路总线电源,拆除底座更换,更换后需重新配置双路总线参数,确保主备同步功能正常。


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