ENI GHW-12Z 射频等离子发生器 – 稳定高效，助力半导体制造！

描述

ENI GHW-12Z是一款高性能的射频等离子发生器，属于 ENI 公司的 GHW 系列。它在工业自动化领域，尤其是半导体制造过程中扮演着重要角色。该发生器能够产生稳定的射频等离子，为等离子增强化学气相沉积（PECVD）、高密度等离子 CVD（HDPCVD）、蚀刻等工艺提供必要的能量支持。其频率为 13.56 兆赫 ±0.005%，功率输出为 1.25 千瓦，动态功率范围在 10 – 1250 瓦之间，能够满足不同工艺的功率需求。

GHW-12Z ENI

主要特点和优势

ENI GHW-12Z具有诸多显著的特点和优势。首先，它的负载阻抗范围无限，这使得它能够适应各种不同的负载情况，具有很强的通用性。其次，该发生器的射频稳定性极高，杂散输出在 <-45dBc 的操作限制范围内，对任何负载都无条件稳定，谐波输出和失真 <-40dBc，能够保证等离子体的稳定性和一致性。此外，GHW-12Z还具备出色的负载失配保护功能，在反向功率达到预编程水平（额定功率的 16%）后，自动正向功率限制通常为 0.25ms，有效保护了设备免受损坏。它采用冷却水冷却系统，水流量为 2.0 加仑 / 分钟（7.6LPM），在 5 – 35°C 时最低，确保了设备在长时间运行过程中的稳定性。

The ENI GHW-12Z RF plasma generator offers exceptional performance and reliability. With a frequency of 13.56 MHz ±0.005% and a power output of 1.25 kW, it provides stable plasma generation for a wide range of industrial applications. Its infinite load impedance range allows it to adapt to various load conditions, ensuring high versatility. The generator features excellent RF stability with spurious output <-45dBc and unconditional stability for any load, along with harmonic output and distortion <-40dBc, guaranteeing consistent plasma quality. Additionally, the built – in load mismatch protection automatically limits the forward power within 0.25ms when the reflected power reaches 16% of the rated power, safeguarding the equipment from damage. The water – cooled system, with a minimum water flow of 2.0 gallons per minute (7.6 LPM) at 5 – 35°C, ensures the generator’s stable operation during long – term use.
The GHW-12Z is also equipped with an N – type RF connector and standard RS – 232 interface, facilitating easy integration into existing industrial systems. Its digital readout displays frequency and forward, reflected, and load power, providing real – time monitoring and control. The EIA – standard 19 – inch rack – mountable design saves space and is convenient for installation and maintenance. Certified by NRTL and CE – marked, the GHW-12Z meets international safety and quality standards, making it a trusted choice for global industrial applications.

GHW-12Z技术规格

参数名称	参数值
产品型号	GHW-12Z
制造商	ENI
产品类型	射频等离子发生器
频率	13.56 兆赫 ±0.005%
功率输出	1.25 千瓦
动态功率范围	10 – 1250 瓦
负载阻抗范围	无限
射频稳定性 / 杂散输出	在 <-45dBc 的操作限制范围内对任何负载无条件稳定
谐波输出和失真	<-40dBc
负载失配保护	在反向功率达到预编程水平 = 额定功率的 16% 后，自动正向功率限制通常为 0.25ms
射频连接器	N 型
界面标准	RS-232 超小型 D 型 9 针数字，可选定制接口卡
冷却系统	冷却水冷却，水流量为 2.0 加仑 / 分钟（7.6LPM）在 5 – 35°C 时最低

应用领域

ENI GHW-12Z射频等离子发生器广泛应用于集成电路、平板显示器和数据存储设备制造过程中的薄膜应用。例如在集成电路制造中，它可用于蚀刻工艺，精确地去除不需要的材料，从而形成复杂的电路图案；在平板显示器制造中，可用于 PECVD 工艺，沉积各种薄膜材料，如透明导电氧化物薄膜等，以提高显示器的性能。此外，在数据存储设备制造中，也能通过相关工艺，提升存储设备的存储密度和读写性能等。

安装与维护

安装前准备：在安装GHW-12Z前，需确保安装环境符合设备要求，如提供稳定的电源输入，确保冷却水系统正常可用等。同时，要准备好相应的安装工具和配件，按照 EIA 标准的 19 英寸适配器进行机架安装准备。
维护建议：定期检查设备的冷却水流量和温度，确保冷却系统正常运行。注意观察设备的运行状态，如通过数字读数显示查看频率、正向、反射和负载功率等参数，如有异常应及时进行排查和处理。此外，还需定期对设备进行清洁，防止灰尘等杂物影响设备性能。